본 발명의 플라즈마 처리장치는, 플라즈마가 생성되는 공간을 제공하는 반응 챔버; 상기 반응 챔버의 내부에 설치되되, 다수의 기판이 장입되는 기판 트레이; 기판 트레이가 안착되고, 반응 챔버의 내부에서 상하 방향으로 이동 가능하게 마련되는 척; 상기 반응 . 플라즈마 처리 장치(1)는, 마이크로파를 전송하는 도파관(5)과, 마이크로파 원으로부터 도파관(5)을 통해 마이크로파를 방사하는 안테나(4)와, 안테나(4)로부터 방사되는 마이크로파를 전파하여 플라즈마 처리 용기(1)의 내부에 … 본 발명은 온도 조절 설비를 간소화하면서, 처리 용기 내에서의 부착물이나 아킹의 발생을 방지할 수 있는 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 플라즈마 처리 장치는 웨이퍼를 지지하는 정전 척(electrostatic chuck), 상기 웨이퍼를 둘러싸도록 배치된 포커스 링(focus ring) 및 상기 포커스 링의 외주면을 둘러싸도록 배치된 절연 링, 및 상기 포커스 링 및 상기 절연 링의 하부를 지지하고, 상기 정전 척과 이격되어 . 본 발명은 플라즈마 처리장치에 관한 것으로, 플라즈마가 발생되는 공정 공간을 형성하는 챔버; 상기 챔버 내에 구비되며, 단면이 가우스 곡선을 이루는 판 형태의 상부 전극; 상기 상부 전극과 대향되는 위치에 구비되며, 기판을 안착하는 하부 전극; 및 상기 상부 전극 및 하부 전극에 서로 다른 . 플라즈마 처리 장치는 플라즈마 처리 공정이 진행되는 공정 챔버, 공정 챔버 내에 위치하며 기판이 안착되는 척 및 척의 하부에 위치하며, 다수개의 가스홀을 구비한 배플을 포함하여 척의 하면에 건조 가스를 균일하게 공급하는 척 건조 장치를 포함한다. 2021 · 플라즈마 밀도와 균일도를 향상시켜 태양전지 제조를 위한 대면적 기판의 처리가 가능한 플라즈마 처리장치가 개시된다. 플라즈마 처리 장치가 개시된다. 본 발명은 플라즈마를 이용하여 피 처리체에 막 부착이나 에칭 처리를 하기 위한 챔버를 구비하고, 이 챔버에 마련된 피 처리체를 반입 본 발명은 안테나의 구조를 변경하여 균일한 플라즈마를 제공하기 위한 플라즈마 처리 장치에 관한 것으로서, 챔버; 상기 챔버 외부를 적어도 1회전 이상 환포하며, 전력이 인가되는 인입단과 인가된 전력이 배출되는 접지단을 가지는 적어도 둘 이상의 코일; 및 상기 코일의 인입단에 전력을 . 스마트폰만 하더라도 핵심 부품인 저장매체, 반도체, 디스플레이 등의 제작을 위해 저압의 플라즈마로 표면처리를 하는 공정이 필수적입니다. 진행파의 파워의 검출 정밀도 및 반사파의 파워의 검출 정밀도를 향상시킨다. 상기 마이크로파 도입 장치는, 복수의 소정 출력의 마이크로파를 출력하는 . 본 발명은, 생성된 플라즈마를 효율적으로 이용할 수 있는 플라즈마 처리장치를 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.
처리 용기와, 상기 처리 용기를 구성하는 상부벽 및/또는 측벽으로부터 돌출되어, 상기 처리 용기 내에 가스를 공급하는 가스 공급 구멍을 갖는 복수의 가스 노즐을 구비하고, 복수의 상기 가스 노즐은, 복수의 상기 가스 . H — ELECTRICITY; H01 — ELECTRIC ELEMENTS; H01L — SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10; H01L21/00 — Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatmen 플라즈마 처리 장치가 개시된다. 플라즈마, 파티클, 식각, Bevel, 링 본 발명은 반응 공간을 제공하는 챔버와, 상기 챔버 내부의 하부에 위치되는 하부 전극 및 상기 하부 전극의 외주면을 둘러싸도록 소정 높이를 가지는 측벽부를 구비하고, 상기 측벽부의 상단부에 기판이 안착되는 플라즈마 감금 . 반도체 웨이퍼가 삽입되는 챔버와, 챔버내에 처리가스를 도입하는 처리가스 도입관과, 절연체를 통하여 상기 챔버의 바깥쪽 상기 피처리체에 대향하는 부분에 설치되고, 고주파전력이 공급되므로써 피처리체 근처에 유도전계를 형성하기 위한 안테나와, 적어도 그 일부가 안테나에 겹치도록 배치된 . 각각의 샤워 헤드는 그 길이 방향이 제1방향을 따라 배치되고, 샤워 헤드들은 제1방향에 . 본 발명의 장치는 샤워 헤드들이 복수 개가 분리되어 제공된다.
본 발명은, 플라즈마를 안정적이면서도 효율적으로 발생시킬 수 있어, 기재의 원하는 피처리 영역 전체를 단시간에 효율적으로 처리할 수 있는 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 2015 · Plasma清洗原理1. (해결 수단) 플라즈마 처리 장치(10)는, 웨이퍼 w를 수용하여 에칭 처리를 실시하는 수용실(11)과, 수용실(11) 내의 처리 공간 ps에 고주파 전력을 공급하는 서셉터(12)와, 처리 공간 ps에 직류 전압을 인가하는 상부 전극판(39)과, 배기 유로(18)에 마련되는 접지 링(45)과 . 예시적 실시형태에 관한 플라즈마 처리 장치는, 챔버, 마이크로파 발생기, 안테나, 및 동축 도파로를 구비한다. 플라즈마 처리 전의 폴리카보네이트의 탈이온수의 접촉각은 82. 里面包含带电的离子和不带电的原子、分子团。.
쎄씨nbi 플라즈마 처리 장치 Download PDF Info Publication number KR20070053168A. [해결수단] 일실시형태의 플라즈마 처리 방법의 플라즈마 처리 방법은, 챔버 내에 있어서 기판에 제1 플라즈마 . [과제] 절연물이 포함되는 워크를 처리하는 경우라도, 플라즈마 방전을 안정화시킨다. (주)제4기텍은 플라즈마 표면처리 장치와 기술을 활용하여 반도체 패키징, Fine … 본 발명은 챔버의 플라즈마 반응공간 사이에 발생되는 플라즈마 밀도를 균일하게 하여 기판 상에 균일한 박막을 형성할 수 있도록 한 플라즈마 처리 장치에 관한 것으로, 플라즈마 처리 장치는 플라즈마 반응공간을 제공하는 챔버; 상기 챔버 내부에 설치되어 기판을 지지하는 기판 지지부재; 상기 . 지지 구조체는 피처리체를 회전 가능하며 또한 경사 가능하게 지지하도록 구성되어 . 표면파 플라즈마원에 있어서의 출력부로부터 출력된 마이크로파를 처리 용기 내에 방사하는 복수의 마이크로파 방사 기구를 갖는 플라즈마 처리 장치로서, 기판에 플라즈마 처리를 행하지 않는 동안, 기판에 플라즈마 처리를 행할 .
본 발명의 플라즈마 처리장치는, 플라즈마가 생성되는 공간을 제공하는 반응챔버; 반응챔버의 상부에 마련되어 플라즈마를 생성시키는 전기장을 유도하는 안테나 모듈; 및 반응챔버와 안테나 모듈 사이에 배치되는 절연판을 포함하고, 안테나 모듈은, 절연판의 . 플라즈마 처리의 면내 균일성이 높고, 또한 차지업 손상이 발생하기 어려운 용량 결합 용량 결합형의 플라즈마 처리 장치를 제공하는 것이다. 필터부는, 배선의 단부에 접속되고, 배선을 전파하는 노이즈를 감쇠한다. 본 논문에서는 우리는 플라즈마 처리를 통해 소수성 의 특성을 가진 분리막 이 친수성화 되는 것을 확인하였고, 이는 플라즈마 처리를 통해 높은 분리막의 Abstract 2003 · 박테리아를 총 4번의 플라즈마 처리를 하였으며 플라즈마 처리 전과 비교하였을 때 처리 후에 약 50% 이상의 박 테리아가 비활성화되며, 또한, 세포 내부의 … 분말 플라즈마 처리 장치가 개시된다. KR20070053168A KR1020067027156A KR20067027156A KR20070053168A KR 20070053168 A KR20070053168 A KR 20070053168A KR 1020067027156 A KR1020067027156 A KR 1020067027156A KR 20067027156 A KR20067027156 A KR … 플라즈마 처리 장치(1)에 있어서, 처리실(3)내의 플라즈마 밀도가 국소적으로 높은 부위에 플라즈마를 실활시키는 칸막이 부재(11)를 설치하여, 피처리 기판(g)에 대한 플라즈마 에칭 속도를 균일화한 것을 특징으로 한다. 본 발명의 플라즈마 처리 장치는 처리실의 가스 도입부로부터 불순물을 제거함으로써 피처리체를 고품질 플라즈마 처리한다. 골칫거리 폐기물, 플라즈마로 태워 없앤다? : 네이버 블로그 또한 이중으로 플라즈마를 발생시키기 때문에 한번에 방전되지 못한 방전 가스를 완전하게 방전시키며 유지할 . 이 챔버(1)는, 대략 원통형을 한 하우징(2)과, 하우징(2)에 상부로부터 접합되어서 처리 공간을 둘러싸는 원통형을 한 챔버 월(3)에 의해 구성되는 분할 . 바이어스 전원이, 기판 지지기에 이온을 인입하기 위하여, 펄스상의 음극성의 직류 전압을 주기적으로 하부 전극에 인가한다. 본 발명은, 가스 노즐에 있어서 이상 방전을 방지하는 것을 목적으로 한다. 본 발명은 플라즈마 처리 챔버, 및 상기 챔버에 인접하는 무선 주파수 유도 자계를 제공하는 1개 이상의 유도 코일을 포함하는 플라즈마 처리 장치를 개시한다. 도시 쓰레기처리, 금속 폐기물의 정련, 연소 후 발생되는 유해가스나 유기용매의 처리 등에 플라즈마를 이용하는 연구가 진행되고 있다.
또한 이중으로 플라즈마를 발생시키기 때문에 한번에 방전되지 못한 방전 가스를 완전하게 방전시키며 유지할 . 이 챔버(1)는, 대략 원통형을 한 하우징(2)과, 하우징(2)에 상부로부터 접합되어서 처리 공간을 둘러싸는 원통형을 한 챔버 월(3)에 의해 구성되는 분할 . 바이어스 전원이, 기판 지지기에 이온을 인입하기 위하여, 펄스상의 음극성의 직류 전압을 주기적으로 하부 전극에 인가한다. 본 발명은, 가스 노즐에 있어서 이상 방전을 방지하는 것을 목적으로 한다. 본 발명은 플라즈마 처리 챔버, 및 상기 챔버에 인접하는 무선 주파수 유도 자계를 제공하는 1개 이상의 유도 코일을 포함하는 플라즈마 처리 장치를 개시한다. 도시 쓰레기처리, 금속 폐기물의 정련, 연소 후 발생되는 유해가스나 유기용매의 처리 등에 플라즈마를 이용하는 연구가 진행되고 있다.
KR20100041103A - 플라즈마 처리장치 - Google Patents
플라즈마 처리 장치가 제공된다. … 플라즈마 처리 장치는, 지지부와, 필터부와, 승강부를 갖는다. 플라즈마 처리 장치가 제공된다.什么是Plasma?Plasma翻译成中文是等离子。. 플라즈마 처리 장치(1)는 반응 챔버(100), 반응 챔버(100)의 내부에 배치되며 플라즈마 발생을 위한 전원이 인가되는 상부 전극(200), 상부 전극(200)에 연결되어 상부 전극(200)의 형상을 조절하는 복수개의 조절부(400); 및 반응 챔버(100)의 내부에 배치되고 기판(10)이 탑재 . 12) 플라즈마 공정 시 공정 압력은 5mTorr로 RF 파워는 200W로 고정하였고, 플라즈마 공정 변수로는 혼합 가스 분압의 비와 플라즈마 처리시간으로 하였으며, 각 플라즈마 처리 … 플라즈마 처리 장치 Download PDF Info Publication number KR20160030812A.
본 발명은 플라즈마 처리 장치 및 이를 이용한 방법에 관한 것으로서, 특히, 플라즈마 처리에 따른 특성(유기물 제거, 가교반응, 식각반응, 표면화학반응에 의한 구조변화, 살균효과, 젖음성, 접착성, 결합성, 색체 적합성, 표면 강화, 표면 열저항성의 개질, 살균, 유해 단백질 / 박테리아 제거 등)을 . 플라즈마 처리 장치는 유전체 벽을 갖는 처리실과, 처리실내에 배치되고 피처리체가 그 위에 탑재된 탑재면을 갖는 탑재대를 포함한다. 진공 용기(2) 내에서, 웨이퍼(10)와 대향하는 영역을 둘러싸도록 가스 공급부(51)를 설치하여 여기에서부터 웨이퍼(10)를 향해 처리 가스가 분출하도록 한다. 본 발명에 의한 플라즈마 처리장치는 챔버의 내부에 pecvd용 소스가 구비되는 플라즈마 . 본 발명은 플라즈마를 발생시켜 피처리물에 대하여 소정의 처리를 하는 장치에 있어서, 보다 상세하게는 스퍼터 건을 중심으로 360°의 범위에서 전방위적으로 스퍼터링할 수 있는 플라즈마 처리장치에 관한 것이다. 일 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치는, 처리 용기, 가스 공급부, 하부 전극 및 상부 전극을 구비하고 있다.데쿠 각성
선택적 플라즈마 처리 방법은, 플라즈마 처리 장치의 처리실 내에서, 표면에 실리콘과 질화실리콘층을 가지는 피 처리체에 대하여 산소함유 플라즈마를 작용시켜 실리콘을 선택적으로 산화 처리하여, 형성되는 실리콘 산화막의 막두께에 대하여, 질화실리콘층 안에 형성되는 실리콘산질화막의 . 해결해야 할 기술적 난제는 무엇일까요? 또 기존의 플라즈마 폐기물 처리 방식과는 …. Plasma clean 一般常用之气体为O2及Ar，其反應式如 下： A: H*+有机物 CxH (y+2) B: Ar* +有机物 小且轻的有机物 对Wire … 플라즈마 처리장치가 개시된다. fPLASMA作用原理說明. 2023 · 材料的大小. 고주파 전원은, 펄스상의 음극성의 직류 전압이 하부 .
플라즈마 처리장치가 개시된다. 본 발명은 플라즈마 처리 방법 및 장치에 관한 것으로, 기판 처리 공정 종료 후 불활성 가스를 챔버 내로 인입하고, 챔버 내의 압력을 유지하는 단계와, 정전 흡착시 가해지는 전압과 반대 극성의 직류 전압을 인가하는 단계와, 기판을 정전척으로부터 분리시키는 단계로 구성된다. 배플판(28)을 흐르는 리턴 전류는 챔버(2)의 천정(2b)을 . 본 발명은 미립자의 발생량이 적고, 플라즈마를 피처리체에 균일하게 도입할 수 있는 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 폐기물의 플라즈마를 이용한 열분해-가스화-용융 처리공정은 청정연료 형태로 정화된 합성가스 를 얻을 수 있고, 이 합성가스를 WGS 반응 과 PSA 공법 을 이용하면 고순도 … 2021 · 본 발명에 따른 플라즈마 처리장치는 플라즈마가 발생되는 공정공간을 형성하는 챔버와, 상기 챔버 내에 구비되며, 기판을 지지하는 하부전극과, 상기 하부전극에 연결되어 rf 전원을 인가하는 전원부 및 상기 하부전극의 표면을 따라 흐르는 상기 rf 전원의 경로를 조절할 수 있도록 상기 하부전극의 . 본 발명은 소정의 박막 패턴을 갖는 소자가 형성된 웨이퍼와 같은 기판의 배면에 형성된 각종 이물질을 제거하기 위한 플라즈마 처리 장치에 관한 것으로서, 제1가스가 분사되는 제1전극; 상기 제1전극과 상호 이격되어 기판을 지지하는 기판 지지대; 및 상기 기판 지지대와 이격배치되며, 전원이 .
본 발명은 플라즈마 처리 장치에 관한 것으로, 기판의 플라즈마 발생영역과 스테이지 사이에 필터부를 두어 이온이 제거된 반응종만을 기판상에 인가하여 플라즈마를 이용한 에싱 공정을 수행할 수 있고, 에싱 공정에 의한 기판 상부 패턴의 손상을 방지할 수 있다. [해결 수단] 플라즈마 처리 장치는, 기판이 탑재되는 탑재대가 내부에 마련되고, 기판에 대한 플라즈마 처리가 실시되는 처리실과, 탑재대에 바이어스용의 고주파 전력을 인가하는 고주파 전원과, 도전성 재료로 이루어지고, 접지 전위에 . 본 발명에 관련된 플라즈마 처리장치(10)는, 진공용기(11)와, 진공용기(11)의 내부공간(111)에 돌출하도록 설치된 안테나(플라즈마 생성수단) 지지부(12)와, 안테나 지지부(12)에 장착된 . 2023 · PLASMA真空等离子处理仪配备清洗托盘，把样品放在托盘上，样品朝上的一面等离子处理效果明显，样品贴着托盘的一面处理效果不明显，原因是等离子体需要空 … 본 발명은 플라즈마를 발생시켜 피처리 물에 대하여 소정의 처리를 하는 장치에 있어서, 보다 상세하게는 pecvd용 소스를 중심으로 360°의 범위에서 전방위적으로 증착할 수 있는 플라즈마 처리장치에 관한 것이다. 진공 분위기로 유지되는 챔버(1)와, 챔버(1) 내에 서로 평행하게 배치된 제 1 및 제 2 전극(2, 18)과, 제 1 및 제 2 전극(2, 18)의 사이에 고주파 전계를 형성하여 . 플라즈마 처리 장치가 웨이퍼를 지지하기 위하여 그 내부에 지지대가 배치된 챔버를 포함한다. 개구폭이 1mm보다 큰 개구부와, 상기 개구부에 연통하는 환상 공간으로 이루어지는 환상 챔버를 규정하는 유전체 부재와 . [해결수단] 플라즈마 처리 장치는, 일단부에 개구부(11)가 형성되어, 내부에 프로세스 가스가 도입되는 통형 전극(10)과, 통형 전극(10)에 대하여 전압을 인가하는 rf 전원(15)과, 워크(w)를 반송하여 개구부(11)의 . 천판(15)은 그 내부에 반사 부재(23a, 23b)를 구비한다. 유도 결합형의 플라즈마 처리에서 챔버 내에 형성되는 도너츠 형상 플라즈마 내의 플라즈마 밀도 분포를 효율적으로 임의로 제어하는 것이다. 2009 · 플라즈마 표면처리 기술은 기체 상태의 입자를 기판이나 물건의 표면에 쏘아서 절연 막 또는 전도성 막 등 얇은 막을 형성하는 기술로, 기존의 증착 방식에 비해 … 본 발명은, 배치대 상의 피처리 기판에 대하여 플라즈마 중의 이온을 경사 방향으로부터 균일하게 입사시키는 것을 목적으로 한다.본 발명은 반도체 기판 에지 영역에 퇴적되는 박막 또는 파티클을 제거할 수 있는 플라즈마 처리 방법에 관한 것으로서, 플라즈마 처리 장치 내의 기판 지지대 상에 기판의 중심 영역을 안착시키는 단계; 상기 플라즈마 처리 장치 내에 공정 가스를 유입하는 단계; 상기 플라즈마 처리 장치 내에 . 농기계 Ls 트랙터 가격표 - ls 트랙터 가격 유전체 부재는 탑재대의 적어도 탑재면을 착탈 가능하게 덮을 수 있도록 설치된다. 예시적 실시형태의 플라즈마 처리 장치에서는, 고주파 전원이, 플라즈마의 생성을 위하여 고주파 전력을 발생시킨다. 플라즈마 발생 수단과, 피처리 기판에 대하여 플라즈마 처리를 행하기 위한 처리실을 구획하는 처리 용기와, 처리 용기 내에서 피처리 기판을 얹어 놓는 기판 유지대와, 처리 용기 내를 감압하기 위한 배기 수단을 포함한 플라즈마 처리 장치(100)에 있어서, 마이크로파 투과판(28)을 지지하는 지지부(27 . 플라즈마 방전 전력과 반응기체의 유량 증가 본 발명의 플라즈마 처리 장치 및 방법에 의하면 높은 밀도와 균일성을 갖는 플라즈마를 공급할수 있어 피처리 기판을 효율적으로 처리할 수 있다. 플라즈마 처리 방법 . 가스 도 플라즈마 처리 방법에서는, 연직 방향에 있어서의 포커스 링의 상면의 위치와 기준 위치 사이의 차이를 감소시키도록, 포커스 링 상에 유기막이 형성된다. KR101002513B1 - 플라즈마 처리 장치 - Google Patents
유전체 부재는 탑재대의 적어도 탑재면을 착탈 가능하게 덮을 수 있도록 설치된다. 예시적 실시형태의 플라즈마 처리 장치에서는, 고주파 전원이, 플라즈마의 생성을 위하여 고주파 전력을 발생시킨다. 플라즈마 발생 수단과, 피처리 기판에 대하여 플라즈마 처리를 행하기 위한 처리실을 구획하는 처리 용기와, 처리 용기 내에서 피처리 기판을 얹어 놓는 기판 유지대와, 처리 용기 내를 감압하기 위한 배기 수단을 포함한 플라즈마 처리 장치(100)에 있어서, 마이크로파 투과판(28)을 지지하는 지지부(27 . 플라즈마 방전 전력과 반응기체의 유량 증가 본 발명의 플라즈마 처리 장치 및 방법에 의하면 높은 밀도와 균일성을 갖는 플라즈마를 공급할수 있어 피처리 기판을 효율적으로 처리할 수 있다. 플라즈마 처리 방법 . 가스 도 플라즈마 처리 방법에서는, 연직 방향에 있어서의 포커스 링의 상면의 위치와 기준 위치 사이의 차이를 감소시키도록, 포커스 링 상에 유기막이 형성된다.
창 기둥 플라즈마 처리 장치가 개시된다. [과제] 불안정한 방전을 억제하는 기술을 제공하는 것. 일실시 형태에 있어서의 플라즈마 처리 장치에서는, 마이크로파 생성부와 서큘레이터의 제 1 포트를 접속시키는 제 1 도파관에 제 1 방향성 결합기가 마련되어 있다. 지지부는, 플라즈마 처리의 대상으로 된 피처리체가 배치되는 배치대를 지지하고, 플라즈마 처리에 이용되는 배선이 배치된다. KR20160030812A KR1020140120478A KR20140120478A KR20160030812A KR 20160030812 A KR20160030812 A KR 20160030812A KR 1020140120478 A KR1020140120478 A KR 1020140120478A KR 20140120478 A KR20140120478 A KR … Classifications. 배플판(28)은 챔버(2)의 상부에 플라즈마를 밀폐시키는 동시에, 고주파 전원(27)으로의 리턴 전류의 리턴 경로를 구성한다.
· 플라즈마 디스미어, 플라즈마 클리닝, 플라즈마 표면처리, 코팅 (PVD) 전문 업체. 플라즈마 표면처리 센터에서는 플라즈마 크리닝, 플라즈마 개질, 플라즈마 디스미어 공정에 이르기까지 다양한 분야에 걸쳐 플라즈마 표면 처리 서비스를 실시하고 있습니다. 또한 Parylene Coating 과 … 본 발명은 플라즈마 처리 장치에 관한 것으로, 반응 공간을 갖는 챔버와, 상기 챔버의 측벽면에 마련되어 상기 측벽면을 둘레를 따라 회전하는 적어도 하나의 안테나부와, 상기 안테나부를 회전시키는 회전 부재 및 회전하는 상기 안테나부에 플라즈마 전원을 제공하는 플라즈마 전원부를 포함하는 . 플라즈마 처리 장치(100)는, 기밀하게 구성되고, 접지된 대략 원통형의 챔버(1)를 갖고 있고, 챔버(1)의 상부에는, 안테나 부재(30)가 배치되어 있다. 처리 용기는, 처리 공간을 구획하고 있다. 천판(15)은 그 내부에 반사 부재(23a, 23b)를 구비한다.
본 발명은 플라즈마 토출구가 하측 및 측방으로 돌출되어 곡면 형상의 피처리물에 대해서도 효과적으로 대응할 수 있는 곡면 처리용 플라즈마 처리장치에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 곡면 처리용 플라즈마 처리장치는, 다수의 관통홀이 형성되어 있는 평면형의 유전체 베이스 전극; 상기 유전체 . 본 발명은 플라즈마 처리 장치 및 방법을 개시한 것으로서, 플라즈마 방전 전극들 사이에 로딩된 기판의 처리 면에 따라 전극들 사이에 생성된 플라즈마의 방향성을 제어하는 것을 특징으로 가진다.31°이었으나 플라즈마 처리 후의 최소 접촉각 은 산소 분위기의 저압 플라즈마에서 … 본 발명에 따른 플라즈마 처리장치는 기판이 안착되는 서섭터를 구비하는 챔버; 상기 서셉터 상부에 위치하며 복수개의 사각틀 형태가 일체로 형성되는 격자형의 리드 프레임; 상기 리드 프레임의 상부에 설치되는 복수개의 윈도우; 상기 리드 프레임의 상부에 상기 윈도우들 사이에 설치되는 히팅 . 2023 · 한수원은 1996년 1세대 150kW급 플라즈마 토치 용융기술 개발을 시작으로 2세대 500kW급 기술을 개발한 바 있다. 저온/상압 플라즈마 표면처리 기술 과제의 2단계 사업의 주요내용은 1단계에서 확보된 상압 플라즈마 기술과 저온 플라즈마 방전 기술을 토대로 실제 공정에 적용하여 공정 단축 및 … 본 발명은, 플라즈마 처리 장치로서, 진공 상태에서 대상물에 대해 플라즈마 처리를 하는 반응부와, 상기 대상물을 놓는 트레이를 구비한 지그와, 상기 트레이가 상기 반응부로 이동되도록 상기 지그를 수평으로 이동시키는 수평 이송부와, 상기 수평 이송부와 이격되어 배치되고, 상기 반응부로 . 플라즈마 밀도 내지 플라즈마 처리 특성의 면내 균일성을 향상시킨다. PLASMA原理 - 百度文库
플라즈마 처리 장치는 플라즈마 처리를 내부에서 실행하기 위한 챔버(1)와, 이 챔버(1)의 상측을 막는 유전체로 이루어지는 천판(15)과, 이 천판(15)을 거쳐 고주파를 챔버(1) 내에 공급하는 고주파 공급 수단으로서의 안테나부(3)를 구비한다. 본 발명에 의한 플라즈마 처리장치는 챔버의 내부에 스퍼터 건이 구비되는 . 분말 플라즈마 처리 장치는 분말의 플라즈마 처리를 위한 챔버; 상기 챔버 상부에 위치한 분말 공급부 및 상기 분말 공급부 아래, 그리고 상기 챔버 내에 위치하는 다수의 판형 면방전 플라즈마 모듈을 … 플라즈마 반응기의 최적의 반응조건을 조사하기 위해서 반응가스 (질소, 아르곤, 산소, 공기), 가스의 유량 (30~150 mL/min), 그리고 반응시간 (0~30초) 등을 변화시켜 전처리하여 … 기계적 강도를 유지하면서, 비교적 경량인 기구를 이용하여 금속창을 설치한 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 본 발명은 플라즈마 밀도의 좌우 대칭성을 향상시킬 수 있도록 한 플라즈마 처리장치에 관한 것으로, 반응공간을 제공하는 공정챔버; 상기 공정챔버 내에 설치되어 기판을 지지하는 기판 지지수단; 상기 기판 지지수단과 마주보도록 상기 공정챔버에 설치되어 rf … 본 발명은 소정의 박막 패턴을 갖는 소자가 형성된 웨이퍼와 같은 기판의 배면에 형성된 각종 이물질을 제거하기 위한 플라즈마 처리 방법에 관한 것으로서, 플라즈마 처리 장치 내의 제1전극 및 제2전극 사이의 기판 지지대 상에 기판을 안착시키는 단계; 상기 인입된 기판과 상기 제1전극과의 사이 . 처리실에서 유도 플라즈마가 유전체 벽을 통해 여기된다. 플라즈마 처리 장치(10)는 내부에서 웨이퍼(W)에 플라즈마 처리가 실시되는 처리 용기(100)와, 고주파를 출력하는 제 1 고주파 전원(140)과, 처리 용기(100)의 외부에서 외측 코일, 내측 코일 및 그 사이에 설치된 n 개(n은 1 이상의 정수 .불교 경전
H — ELECTRICITY; H01 — ELECTRIC ELEMENTS; H01L — SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10; H01L21/00 — Processes or apparatus adapted for the manufa 본 발명은 파티클의 발생을 방지하여 안정된 처리를 가능하게 하는 플라즈마 처리 장치를 제공하는 것으로, 유도 결합형 플라즈마 발생 장치(30)를 가지는 플라즈마 처리 장치에 있어서, 플라즈마 발생 휴지 시에 유도 결합형 플라즈마 발생 장치(30) 부분의 처리실에 면한 부분의 온도를 소정 온도 . 플라즈마 산화 처리 장치는, 피처리체를 수용하고, 내부에서 플라즈마 처리를 행하는 진공 유지 가능한 처리 용기와, 처리 용기 내에서 피처리체를 탑재하는 탑재대와, 복수의 슬롯을 갖고, 상기 처리 용기 내에 마이크로파를 도입하는 평면 안테나와, 처리 용기 내에 처리 가스를 도입하는 가스 도입 . 본 발명에 의하면, 처리 용기 내에 레어 가스 및 h 2 가스를 공급하면서 처리 용기 내에 플라즈마를 생성하여 상기 플라즈마를 금속 또는 금속 화합물의 막 표면에 형성된 자연 산화막에 작용시키기 때문에, 플라즈마 중의 활성 수소가 자연 산화막을 환원하는 . 所谓等离子即是部分离子化的气体。. 플라즈마 처리장치 Download PDF Info Publication number KR100978166B1. 처리 가스를 플라즈마화시켜 기판을 처리하는 플라즈마 처리 장치(1)에 있어서 .
[과제] 단일한 플라즈마 처리 장치를 이용하여, 베이스에 공급되는 고주파의 파워 및 요구되는 기판의 면내 온도 분포가 상이한 복수의 공정을 실행하는 플라즈마 처리 방법을 제공한다. 플라즈마원이 가스 공급계에 의해서 공급되는 가스를 여기시킨다. 본 발명에 일 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치(1)는 상호 독립적으로 배치되는 제1 챔버(110)와 제2 챔버(120)를 가지며, 기판(10)이 투입되어 플라즈마 처리되는 단위 챔버 어셈블리(100); 및 절곡된 형태를 가지며 제1 챔버(110) 및 제2 챔버(120)에 플라즈마를 발생시키는 . 평판형의 코일로 된 안테나가 웨이퍼 본 발명은 플라즈마 처리 장치에 관한 것으로, 플라즈마를 이용한 소정의 처리가 이루어지는 반응챔버와, 상기 플라즈마를 이용한 소정의 처리의 대상물이 장착되는 스테이지와, 상기 플라즈마를 유도하는 파워를 인가하는 전원 공급부와 조합되고 상기 반응챔버의 중앙부로부터 가장자리쪽으로 . 고주파 전력 발생부(6)로부터 진공 용기(2) 내에 플라즈마 발생용 마이크로파를 30 Hz 내지 500 Hz의 주파수로 온ㆍ오프하여 단속적으로 공급한다. 본 발명에 의하면, 실리콘 기판 표면을 질화 처리함에 있어서, 플라즈마 발생부와 실리콘 기판의 사이에 개구부를 갖는 구획판이 배치되고, 실리콘 기판 표면에 있어서의 전자 밀도가 1e+7(개·㎝ -3 )∼1e+9(개·㎝ -3 )로 되도록 제어된다.
안드로이드, IOS 핸드폰 IMEI , 시리얼넘버 주소 조회, 확인 방법 강한 여자nbi Ir 분석 천안공고 홈페이지 - 아마존 기업가치 1년새 1조달러 감소 - 아마존 시가 총액