2012 · 렌즈를 통해 들어온 빛은 이미지 센서에 모여 디지털. KR100312278B1 - 이미지센서 . 이미지 센서는 반도체 기판, 반도체 기판 내에 형성되고, 입사광에 대응하여 전하를 축적하는 다수의 광전 변환부, 다수의 광전 변환부 주변에 형성된 지지체, 반도체 기판 상에 형성되고, 다수의 광전 변환부에 대응되는 영역에 다수의 오목홈을 구비하는 절연막 . [mV] 2. 2015 · CMOS 센서의 원리. 실시예에 따른 이미지센서는 기판 내에 형성된 픽셀영역; 상기 픽셀영역 일측의 기판 내에 형성된 콘택 영역; 상기 픽셀영역 내의 상기 기판에 형성된 제1 농도의 제1 도전형 영역; 및 상기 픽셀영역 내의 상기 기판에 형성되며, 상기 제1 농도 보다 높은 제2 . 본 발명에 따른 xy 어드레스형 고체 촬상 장치는 포토 다이오드(10)와, 리셋 트랜지스터(12 . KR20190086283A KR1020180004618A KR20180004618A KR20190086283A KR 20190086283 A KR20190086283 A KR 20190086283A KR 1020180004618 A KR1020180004618 A KR 1020180004618A KR 20180004618 A KR20180004618 A KR 20180004618A KR … 본 발명은 서로 다른 칼라의 칼라필터 사이에 틈이 형성되는 것을 방지하여 빛의 난반사를 억제할 수 있는 이미지 센서 제조방법을 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은 평탄화막이 형성된 기판을 제공하는 단계와, 상기 평탄화막 상에 서로 이격된 복수의 제1 및 제2 칼라필터를 각각 . Circuit controller for controlling a pixel circuit and a method of controlling a pixel circuit . 이미지 센서는 기판의 활성 영역 내에서 기판의 깊이 방향을 따라 연장되는 수직 게이트부를 포함하는 트랜스퍼 트랜지스터와, 활성 영역 내에서 기판의 상면으로부터의 깊이가 서로 다른 위치에 형성되어 있는 복수의 포토다이오드 영역과 . This advanced sensor captures images in either linear or high dynamic range, with rolling−shutter readout. 2000만 화소 CMOS와 안정적으로 에지를 검출할 수 있는 .
2022 · 이미지 센서 Download PDF Info Publication number KR102349105B1. 2015. 본 발명은 포토 다이오드를 갖는 이미지 센서의 암전류 발생을 억제할 수 있는 이미지 센서 제조방법을 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은 기판 상에 트랜지스터용 게이트 전극을 형성하는 단계와, 상기 트랜지스터용 게이트 전극의 일측에 얼라인되도록 상기 기판 내에 포토 다이오드를 . Sensitivity: Measured average output at 25% of saturation level illumination for exposure time 1/30 sec. 이미지 센서(s1)는, 피조사체에 빛을 출사하는 도광체(1),(2)과, 피조사체에서 반사한 반사광을 수속하는 렌즈체(15)와, 렌즈체(15)에서 수속된 반사광을 수광하는 센서(16)와, 하우징(10)을 구비한다. 지 센서 공정은 제조 공정의 경제성과 주변 칩들과의 연 결 상의 용이성을 가지고 있다.
<표 1>에 CCD와 CMOS 이미지 소자 기본 구조 비교가 되어 있다. 본 발명에 따른 이미지센서 패키지 및 그 제조방법은 이미지센서와 디바이스를 스택 구조로 구성한 후 열경화성 수지로 몰드하여 패키징함으로써, 상기 디바이스가 차지하는 면적을 용이하게 축소할 수 있고, 또한 종래의 이미지센서 . 2021 · 본 발명은 이미지 센서의 상부로 렌즈를 빠르고 쉽게 체결하고 포커싱을 할 수 있게 함으로서 생산성 및 작업성과 품질을 크게 향상시키도록 하기 위한 이미지 센서 모듈장치를 제공함에 있다. 본 발명의 실시예에 따른 이미지센서는 기판상에 형성된 씨모스 회로(circuitry); 상기 기판상에 형성된 하부배선; 상기 하부배선 상에 형성된 전도성 고분자; 및 상기 전도성 고분자 상에 형성된 투명전극;을 포함하는 것을 특징한다. [mV/lux … H — ELECTRICITY; H01 — ELECTRIC ELEMENTS; H01L — SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10; H01L27/00 — Devices consisting of a plurality of semiconductor or other so 3차원 적층구조의 이미지센서 US9613933B2 (en) 2014-03-05: 2017-04-04: Intel Corporation: Package structure to enhance yield of TMI interconnections US10154211B2 (en) * 2014-11-20: 2018-12-11: Teledyne Dalsa B. 이미지 센서의 원리.
문자열에서 첫 번째 문자 제거 - python 문자열 제거 - 9Lx7G5U Raw Data와 Bayer Filter의 원리 (0) 2018. 아래 두 그림은 이미지 센서의 구성을 간단히 도식화한 것입니다. 전자를 직접 전송하는 CCD 이미지센서와는 달리, CMOS형 이미지센서는 화소에서 신호전자가 바로 전압으로 변환된다. 집적도가 향상된 이미지 센서가 제공된다. 이미지 센서는 빛을 감지해서 그 세기의 정도를 디지 털 영상 데이터로 변환해 주는 부품으로 몇 번의 변환 과 2021 · Classifications. 2021 · 이미지센서 업계 1위를 다투는 삼성과 소니의 치열한 경쟁이 향후 어떻게 전개될 지 기대됩니다.
KR20190094580A KR1020180013884A KR20180013884A KR20190094580A KR 20190094580 A KR20190094580 A KR 20190094580A KR 1020180013884 A KR1020180013884 A KR 1020180013884A KR 20180013884 A KR20180013884 A KR … 이미지 치수 측정 시스템 IM-8000 시리즈. 이미지 센서가 개시된다. H — ELECTRICITY; H01 — ELECTRIC ELEMENTS; H01L — SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10; H01L27/00 — Devices consisting of a plurality of semicond 실시 예에 의한 이미지 센서는 서로 인접하여 배치된 복수의 픽셀 영역을 포함하고, 복수의 픽셀 영역은 중앙 픽셀 영역; 및 중앙 픽셀 영역의 주위에 배치되는 주변 픽셀 영역을 포함하고, 중앙 픽셀 영역은 복수의 중앙 픽셀을 포함하고, 주변 픽셀 영역은 복수의 주변 픽셀을 포함하고, 중앙 픽셀의 . A broad portfolio of industry leading image sensors that satisfy requirements of every possible end application from wearables and consumer electronics to demanding industrial and automotive applications. 본 기술은 성능이 향상된 이미지 센서를 제공한다. KR101679598B1 KR1020160000270A KR20160000270A KR101679598B1 KR 101679598 B1 KR101679598 B1 KR 101679598B1 KR 1020160000270 A KR1020160000270 A KR 1020160000270A KR 20160000270 A KR20160000270 A KR 20160000270A KR 101679598 B1 KR101679598 … 이미지 센서 Download PDF Info Publication number KR20180060309A. KR20200038147A - 이미지 센서 - Google Patents 상기 이미지 센서는 전면과 후면이 정의되고, 픽셀을 포함하는 수광부 및 수광부 주변의 픽셀을 구동하는 회로가 형성되는 회로부를 포함하는 기판, 회로부의 전면에 형성되고, 회로를 포함하는 절연 구조체, 절연 구조체 내에 회로의 상단보다 상부에 . AR0821CS is a 1/1. 이미지 래그를 개선시킬 수 있는 이미지 센서 제조 방법이 제공된다. 이미지 센서는, 복수의 화소 영역들과, 적어도 한 쌍의 더미 화소 영역을 포함하는 기판, 상기 복수의 화소 영역들 중 인접한 두 개의 화소 영역들 사이에 배치되며, 제1 도전층을 포함하는 화소 분리 구조물, 상기 적어도 한 쌍의 더미 화소 영역 사이에 배치되며, 상기 화소 . 이러한 본 발명은 나사산이 없이 원통체의 베이스와 렌즈를 장착한 렌즈홀더를 끼움 결합함으로서 렌즈 . 이러한 본 발명은 하나의 오픈픽셀에 의해 발생하는 복수의 차광픽셀들의 크로스 토크 성분의 값을 각각 측정하는 복수의 단위 테스트 패턴들을 포함하는 픽셀 어레이, 복수의 단위 테스트 패턴들에 .
상기 이미지 센서는 전면과 후면이 정의되고, 픽셀을 포함하는 수광부 및 수광부 주변의 픽셀을 구동하는 회로가 형성되는 회로부를 포함하는 기판, 회로부의 전면에 형성되고, 회로를 포함하는 절연 구조체, 절연 구조체 내에 회로의 상단보다 상부에 . AR0821CS is a 1/1. 이미지 래그를 개선시킬 수 있는 이미지 센서 제조 방법이 제공된다. 이미지 센서는, 복수의 화소 영역들과, 적어도 한 쌍의 더미 화소 영역을 포함하는 기판, 상기 복수의 화소 영역들 중 인접한 두 개의 화소 영역들 사이에 배치되며, 제1 도전층을 포함하는 화소 분리 구조물, 상기 적어도 한 쌍의 더미 화소 영역 사이에 배치되며, 상기 화소 . 이러한 본 발명은 나사산이 없이 원통체의 베이스와 렌즈를 장착한 렌즈홀더를 끼움 결합함으로서 렌즈 . 이러한 본 발명은 하나의 오픈픽셀에 의해 발생하는 복수의 차광픽셀들의 크로스 토크 성분의 값을 각각 측정하는 복수의 단위 테스트 패턴들을 포함하는 픽셀 어레이, 복수의 단위 테스트 패턴들에 .
KR20200105584A - 이미지 센서 - Google Patents
본 발명은 이미지 센서에 관한 것으로, 픽셀의 크로스 토크를 추정할 수 있도록 하는 기술이다. 상기 이미지 센서는 기판, 기판 내에 형성된 분리 절연막, 분리 절연막 하부에, 다층으로 형성된 제1 도전형의 분리 불순물 영역, 및 기판 내에 다층으로 형성된 제2 도전형의 불순물 영역을 포함하는 포토 다이오드를 포함한다. 이미지 센서(image sensor)가 제공된다. SPAD를 이용한 응용회로 설계 시 고려할 점. 이미지 센서 Download PDF Info Publication number KR20160112775A.본 발명은 이미지 센서에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 단위 픽셀들; 및 상기 단위 픽셀들 상의 컬러 필터 어레이를 포함한다.
본 발명의 일 실시예는, 각각 2×2 매트릭스로 배열된 제1 내지 제4 픽셀 블럭을 갖는 복수의 확장된 베이어 패턴 블럭을 포함하며, 상기 제1 내지 제4 픽셀 블럭은 각각 2×2 매트릭스로 배열된 제1 내지 제4 픽셀을 포함하고, 상기 제1 및 제4 픽셀 블럭의 상기 제1 및 제4 픽셀은 녹색 광을 감지하도록 . 본 발명은 이미지 센서를 제공한다.28 H. 13. 실시 예는 제1 도전형 반도체 기판에 형성되는 포토다이오드 영역, 상기 제1 도전형 반도체 기판 상에 상기 포토다이오드 . KR20170094693A KR1020160015779A KR20160015779A KR20170094693A KR 20170094693 A KR20170094693 A KR 20170094693A KR 1020160015779 A KR1020160015779 A KR 1020160015779A KR 20160015779 A KR20160015779 A KR 20160015779A KR … Classifications.Kr20 So 2
실시예에 따른 이미지 센서는 복수의 픽셀들이 2차원 배열된 픽셀 어레이를 포함하는 이미지 센서에서, 상기 복수의 픽셀들 각각은, 기판에 형성된 광전변환소자; 상기 광전변환소자 일부와 중첩되고 상기 기판상에 형성된 전송 게이트; 및 상기 . 이러한 본 발명은 다수의 유효 픽셀을 포함하는 유효 픽셀 어레이와, 다수의 블랙 픽셀을 . 이미지 센서가장 먼저 알아볼 것은 이미지 센서이다. 본 발명은 sog층 이용하지 않고 평탄화를 이룰 수 있어 결함 발생을 방지할 수 있는 이미지 센서 제조 방법에 관한 것으로, 소정의 하부구조 형성이 완료된 반도체 기판 상부에 연결배선 패턴을 형성하는 단계; 상기 연결배선 패턴 형성이 완료된 전체 구조 상에 소수성 물질로 이루어지는 제1 평탄화 . 1. CMOS 이미지 센서는 광전자 변환부에 축적된 전하를 전하 검출부에 전송하는 전하 전송부를 포함하는 단위 화소가 메트릭스 형태로 배열된 화소 배열부, 광전자 변환부의 전하 축적 기간 중 일부 기간동안 전하 전송부의 전위가 음이 되는 .
. 즉 빛 에너지를 전기적 에너지로 변환해 영상으로 만드는데, 카메라의 필름과 같은 역할을 합니다. These CMOS (Complementary metal–oxide–semiconductor ) imaging sensors serve a broad range of applications and markets including machine vision, medical electronics, broadcast equipment, traffic management, scientific instrumentation and photography. 이미지 센서는 반도체 기판, 반도체 기판 내에 형성된 광전 변환부, 반도체 기판 내에 형성된 전하 검출부, 광전 변환부와 전하 검출부 사이에 형성되고 광전 변환부 방향의 포텐셜 베리어 피크가 전하 검출부 방향의 포텐셜 베리어 피크보다 높은 전하 전송부를 . KR102354420B1 KR1020140188109A KR20140188109A KR102354420B1 KR 102354420 B1 KR102354420 B1 KR 102354420B1 KR 1020140188109 A KR1020140188109 A KR 1020140188109A KR 20140188109 A KR20140188109 A KR 20140188109A KR 102354420 B1 KR102354420 … 이미지 센서(image sensor)가 제공된다. 본 발명은 구형 이미지 센서에 관한 것으로, 외부 광량을 조절하는 조리개와; 상기 조리개를 통한 외부 광이 입사되는 구형 구조물과; 상기 구형 구조물에 입사된 광을 감지하며, 상기 구형 구조물의 곡면에 형성되어 있는 이미지 센서 구조물을 포함하여 구성된 구형 이미지 센서로 구성된다.
이미지 센서는, 기판의 상면에 수직한 수직 방향으로 상기 기판을 관통하여, 단위 픽셀들이 각각 형성되는 단위 픽셀 영역들을 정의하는 픽셀 분리 구조물; 상기 각 단위 픽셀 영역들 내에 형성된 감광 소자; 상기 기판 상에 형성된 트랜지스터; 상기 기판 아래에 형성되며, 복수의 컬러 필터들을 . 카메라 중에서도 … See more 퀀텀을 측정하기 위한 Single Photon Detector를 사용하기 위한 소자 SPAD (single photon avalanche diode) --> 기본적인 원리 및 동작 회로 설명 등. 본 발명은 이미지 센서 픽셀 어레이에 관한 것으로, CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) 이미지 센서에 있어서 광학 블랙 픽셀(OBP; Optical Black Pixel) 영역에 과잉 전하가 유입되지 않도록 하는 기술을 개시한다. 예를 들어 가장 친밀한 것으로 말하면 스마트 폰이나 디지털 카메라 네요. 센서로세계로미래로. 이미지 센서가 개시된다. 본 발명의 이미지 센서 모듈은, 상기 렌즈 광학부와 수평 상태로 위치하는 하우징의 저면에 장착되는 인쇄회로기판; 상기 인쇄회로기판의 상면에 와이어 본딩 방식에 의해서 접착 고정되며, 상기 렌즈 . 본 발명의 일 실시 형태에 따른 이미지 센서(1)는 매립형 포토 다이오드 PD(m,n)가 복수로 배열된 이미지 센서이다. H01L31/04 — Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either 개시된 이미지 센서는, 기판과 기판의 제1 면에 마련된 복수의 박형 렌즈 및 기판의 제2 면에 마련된 복수의 광 감지셀을 포함한다. KR20180060309A KR1020160159663A KR20160159663A KR20180060309A KR 20180060309 A KR20180060309 A KR 20180060309A KR 1020160159663 A KR1020160159663 A KR 1020160159663A KR 20160159663 A KR20160159663 A KR 20160159663A KR … 스크라이브, 테스트 패턴, 리얼 칩, 이미지 센서 KR100698081B1 - 이미지 센서 - Google Patents 이미지 센서 Download PDF Info Publication number KR100698081B1. 본 발명에 따른 이미지 센서 모듈에서 모듈 하우징은 모듈 기판과 …. 본 발명은 크랙 및 파티클 등의 결함 발생 없이 이미지센서를 제조하는 방법을 제공하는데 그 목적이 있는 것으로, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 이미지센서 제조방법은, 기판상에 일련의 이미지센서 소자들을 형성하는 단계; 소자보호막을 형성하는 단계: 수광영역과 비수광영역의 경계 . العاب صابونيه سميراميس قماش 이미지 센서 Download PDF Info Publication number KR20170094693A. 본 발명의 기술적 사상에 따른 이미지 센서는, 제1 기판, 제1 기판의 전면에 형성되고 제1 도전층을 둘러싸는 제1 층간 . 하우징(10)은, 도광체(1),(2), 렌즈체(15), 및 센서(16)를 수납 또는 유지하고, 하우징 금속부(110)와 하우징 . 이미지 센서가 제공된다. H — ELECTRICITY; H01 — ELECTRIC ELEMENTS; H01L — SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10; H01L27/00 — Devices consisting of a plurality of semicond (과제) Si 기판의 깊은 위치에 발생한 캐리어의 횡방향 확산에 의한, 인접하는 포토 다이오드로의 기여(화소간 크로스토크)를 억제하는 반도체 수광 소자를 갖는 이미지 센서를 제공한다. . KR20210047008A - 이미지 센서 - Google Patents
이미지 센서 Download PDF Info Publication number KR20170094693A. 본 발명의 기술적 사상에 따른 이미지 센서는, 제1 기판, 제1 기판의 전면에 형성되고 제1 도전층을 둘러싸는 제1 층간 . 하우징(10)은, 도광체(1),(2), 렌즈체(15), 및 센서(16)를 수납 또는 유지하고, 하우징 금속부(110)와 하우징 . 이미지 센서가 제공된다. H — ELECTRICITY; H01 — ELECTRIC ELEMENTS; H01L — SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10; H01L27/00 — Devices consisting of a plurality of semicond (과제) Si 기판의 깊은 위치에 발생한 캐리어의 횡방향 확산에 의한, 인접하는 포토 다이오드로의 기여(화소간 크로스토크)를 억제하는 반도체 수광 소자를 갖는 이미지 센서를 제공한다. .
Avsee Tv 2 본 발명에 따르면, 씨모스 이미지 센서의 화상 신호의 왜곡을 억제할 수 있다. 이미지 센서 및 전자 장치 Download PDF Info Publication number KR20190094580A. 대상 물체를 고해상도로 포착할 수 있는 이미지 치수 측정 시스템 IM-8000 시리즈는 간단한 조작은 그대로 유지하면서 검출 성능을 기존 대비 3배로 향상시켰습니다.265 HEVC 개요 (0) 2018. 이미지 센서가 개시된다. 이미지 센서, 포토다이오드, 트랜지스터 실시예에 따른 이미지 센서는, 수광 영역을 포함하는 반도체 기판; 상기 수광 영역 이외의 상기 반도체 기판에 배치된 트랜치; 상기 수광 영역에 형성된 포토다이오드; 상기 트랜치의 바닥면에 형성된 씨모스 회로; 상기 .
이미지센서, 포토다이오드, 리드아웃 회로 실시예에 따른 이미지센서는 제1 기판에 형성된 리드아웃 회로(Readout Circuitry); 상기 제1 기판에 상기 리드아웃 회로와 전기적으로 연결되어 형성된 전기접합영역; 및 상기 전기접합영역 상에 형성된 배선; 및 상기 배선 . 이미지 센서는 서로 대향하는 제 1 면 및 제 2 면을 갖고, 복수 개의 픽셀 영역들을 포함하는 제 1 도전형의 반 씨모스 이미지 센서가 개시된다. KR20210047008A KR1020190130512A KR20190130512A KR20210047008A KR 20210047008 A KR20210047008 A KR 20210047008A KR 1020190130512 A KR1020190130512 A KR 1020190130512A KR 20190130512 A KR20190130512 A KR 20190130512A KR … 2021 · Classifications. KR101305608B1 KR1020110122122A KR20110122122A KR101305608B1 KR 101305608 B1 KR101305608 B1 KR 101305608B1 KR 1020110122122 A KR1020110122122 A KR 1020110122122A KR 20110122122 A KR20110122122 A KR 20110122122A KR 101305608 B1 KR101305608 … 이미지 센서(4500)는 통신 링크를 통해서 프로세서 장치(4300)와 통신할 수 있다. 본 발명의 기술적 사상에 따른 이미지 센서는, 서로 대향하는 상면 및 하면을 가지는 기판, 상면에 수직 방향으로 이격되어 기판 내에 배치되고 광전 변환 영역을 정의하는 제1 분리 영역, 하면으로부터 수직 방향으로 제1 분리 영역까지 기판 내에 배치되는 제2 분리 영역, 광전 변환 영역에서 상면 . 이미지 센서 및 그 제조 방법이 제공된다.
상기 칼코겐 화합물은 A x B y S 1 -x-y , A x B y Te 1 -x-y 및 A x B y Se 1-x-y (0<x<1, 0<y<1)중 하나를 포함한다. 이미지 센서 Download PDF Info Publication number KR102354420B1. 상기 컬러 필터 어레이는, 2 X 2 어레이로 배열된 두 개의 제1 컬러 필터들, 제2 컬러 필터 및 제3 컬러 필터를 포함하고, 각각의 상기 제1 … 이미지 센서를 제공한다. 이미지 센서 Download PDF Info Publication number KR101305608B1. KR100526465B1 KR10-2003-0079835A KR20030079835A KR100526465B1 KR 100526465 B1 KR100526465 B1 KR 100526465B1 KR 20030079835 A KR20030079835 A KR 20030079835A KR 100526465 B1 KR100526465 B1 KR 100526465B1 Authority KR … 2016 · 센서 종류와 원리 압력센서의 원리 압력센서의 이용 광 센서(photo sensor) 원리 스마트폰 액정 화면이나 냉장고 터치 스크린 작동 스마트폰이나 냉장고 등 가전 제품의 터치 스크린은 미세한 전류를 감지하여 작동하는 것으로써 인체는 이런 전류를 받아들이는 도체의 역할을 하므로 터치 스크린 . 이미지 센서는, 복수의 단위 픽셀들을 포함하는 이미지 센서로, 서로 반대되는 제1 면 및 제2 면을 포함하는 기판, 상기 기판 내의 광전 변환층, 상기 기판의 상기 제1 면 상의 배선 구조체, 각각의 상기 단위 픽셀들의 상기 배선 구조체 내의 제1 커패시터 . KR100526465B1 - 이미지 센서 제조 방법 - Google Patents
이미지 센서, 크로스토크, 보색 필터, 컬러 필터 어레이 SNR 감소 없이 크로스토크를 제거하여 감도를 향상시킬 수 있는 이미지 센서는 광 감지 소자들, 및 각각이 상기 광 감지 소자들 중에서 대응되는 광 감지 소자 위에 적층된 복수의 필터들을 포함하는 필터 . 참고로, 여기 있는 내용만 … CMOS 이미지 센서(CMOS image sensor) 및 그 구동 방법이 제공된다. 이미지 센서는 서로 대향하는 제 1 면 및 제 2 면을 가지며, 복수 개의 픽셀 영역들을 포함하는 반도체 기판; 상기 반도체 기판의 상기 픽셀 영역들에 각각 제공된 광전 변환 영역들; 상기 반도체 기판의 상기 제 1 면에 일정 간격으로 이격되어 제공된 격자 패턴들로서, 상기 . 칼라 조정 경로 영역을 가지는 이미지 센서를 개시한다. KR102349105B1 KR1020170179262A KR20170179262A KR102349105B1 KR 102349105 B1 KR102349105 B1 KR 102349105B1 KR 1020170179262 A KR1020170179262 A KR 1020170179262A KR 20170179262 A KR20170179262 A KR 20170179262A KR … 칩 사이즈를 감소시킬 수 있는 유기 광전층을 가지는 이미지 센서를 제공한다. 이미지 센서는 서로 대향하는 제1 면과 제2 면을 포함하는 반도체 기판; 상기 반도체 기판의 상기 제1 면 상에 배치되고, 상기 제1 면에 수직한 제1 방향으로 연장되는 반도체 패턴; 상기 반도체 기판의 상기 제1 면으로부터 상기 반도체 기판 내부로 연장되는 전송 게이트 .연세대학교 데이터사이언스연구소 - 연세대 통계학과
본 발명은 이미지 센서에 관한 것으로, 화소들이 곡선 배치되어 있는 곡선형 이미지 센서 구조로, 인간의 망막과 같이 빛을 받는 센서의 표면이 곡선을 가짐으로서 수차와 화상의 왜곡을 줄이고 렌즈부를 간소화할 수 있다.V. 본 발명의 실시예에서는, 설명의 편의를 위해, CMOS . 이미지센서, 씨모스 … 이미지 센서, 픽셀, 광전변환소자, 필 팩터, 웰 전위 KR100766497B1 - 이미지 센서 - Google Patents 이미지 센서 Download PDF Info Publication number KR100766497B1. 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 . .
본 발명은 이미지 센서 모듈에 관한 것으로, 이미지 센서 모듈을 사용하는 제품의 소형화를 달성하기 위하여 이미지 센서 모듈의 횡방향 크기를 감소시키기 위한 것이다. KR100698081B1 . (해결 수단) 인접하는 포토 다이오드 사이에 레이저로 개질층을 만들고, 재결합 준위를 발생시켜, 화소간 크로스 .12. 이미지 센서 패키지가 제공된다. 본 발명에 따른 이미지 센서는 복수의 액티브 화소가 배치되는 액티브 화소 영역 및 패드가 배치되는 전력 공급 영역을 가지는 반도체 기판, 반도체 기판 상에 배치되며 복수의 액티브 화소에 대응하는 복수의 제1 투명 .
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