본 발명은 플라즈마 토출구가 하측 및 측방으로 돌출되어 곡면 형상의 피처리물에 대해서도 효과적으로 대응할 수 있는 곡면 처리용 플라즈마 처리장치에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 곡면 처리용 플라즈마 처리장치는, 다수의 관통홀이 형성되어 있는 평면형의 유전체 베이스 전극; 상기 유전체 . 2021 · 플라즈마 밀도와 균일도를 향상시켜 태양전지 제조를 위한 대면적 기판의 처리가 가능한 플라즈마 처리장치가 개시된다. 이어 이번에 200L 드럼을 포함한 다양한 . KR100978166B1 KR1020087018681A KR20087018681A KR100978166B1 KR 100978166 B1 KR100978166 B1 KR 100978166B1 KR 1020087018681 A KR1020087018681 A KR 1020087018681A KR 20087018681 A KR20087018681 A KR 20087018681A KR … 일 실시형태의 플라즈마 처리 장치에서는, 가스 공급계가 처리 용기 내에 가스를 공급한다. 지지 구조체는 피처리체를 회전 가능하며 또한 경사 가능하게 지지하도록 구성되어 . 플라즈마, 챔버, 가스, 정전척, 기판 본 발명은 플라즈마 처리 장치 및 방법에 관한 것으로, 플라즈마 처리 장치는 챔버와, 상기 챔버 내에 서로 대향 위치한 상부 전극부 및 하부 전극부와, 상기 하부 전극부에 구비된 정전척 내의 하부 도전체에 연결된 제전용 . 본 발명은 플라즈마 처리 장치 및 이를 이용한 방법에 관한 것으로서, 특히, 플라즈마 처리에 따른 특성(유기물 제거, 가교반응, 식각반응, 표면화학반응에 의한 구조변화, 살균효과, 젖음성, 접착성, 결합성, 색체 적합성, 표면 강화, 표면 열저항성의 개질, 살균, 유해 단백질 / 박테리아 제거 등)을 . 본 발명의 플라즈마 처리장치는, 플라즈마가 생성되는 공간을 제공하는 반응챔버; 반응챔버의 상부에 마련되어 플라즈마를 생성시키는 전기장을 유도하는 안테나 모듈; 및 반응챔버와 안테나 모듈 사이에 배치되는 절연판을 포함하고, 안테나 모듈은, 절연판의 . 본 발명은 소정의 박막 패턴을 갖는 소자가 형성된 웨이퍼와 같은 기판의 배면에 형성된 각종 이물질을 제거하기 위한 플라즈마 처리 장치에 관한 것으로서, 제1가스가 분사되는 제1전극; 상기 제1전극과 상호 이격되어 기판을 지지하는 기판 지지대; 및 상기 기판 지지대와 이격배치되며, 전원이 . 플라즈마, 파티클, 식각, Bevel, 링 본 발명은 반응 공간을 제공하는 챔버와, 상기 챔버 내부의 하부에 위치되는 하부 전극 및 상기 하부 전극의 외주면을 둘러싸도록 소정 높이를 가지는 측벽부를 구비하고, 상기 측벽부의 상단부에 기판이 안착되는 플라즈마 감금 . Plasma with RF clean 原理. 고주파 전원은, 펄스상의 음극성의 직류 전압이 하부 .
본 발명은 솔라셀(solar cell) 등과 같은 전자 소자를 제조하기 위해 기판 상에 박막을 형성하는 플라즈마 강화 화학 기상 증착 장치를 제공한다. 본 발명의 플라즈마 처리 장치는, 기밀한 처리실과, 상기 처리실내에 승강이 자유롭게 설치되며 피처리체가 탑재되는 탑재부를 갖는 하부 전극과, 하부 전극에 고주파 전력을 공급하는 전력 공급계와, 하부 전극을 승강 구동하는 승강 기구와, 승강 기구를 근접 거리에서 실질적으로 둘러싸며 . 진행파의 파워의 검출 정밀도 및 반사파의 파워의 검출 정밀도를 향상시킨다. 플라즈마 처리 장치는 플라즈마 처리 공정이 진행되는 공정 챔버, 공정 챔버 내에 위치하며 기판이 안착되는 척 및 척의 하부에 위치하며, 다수개의 가스홀을 구비한 배플을 포함하여 척의 하면에 건조 가스를 균일하게 공급하는 척 건조 장치를 포함한다. 처리 용기와, 상기 처리 용기를 구성하는 상부벽 및/또는 측벽으로부터 돌출되어, 상기 처리 용기 내에 가스를 공급하는 가스 공급 구멍을 갖는 복수의 가스 노즐을 구비하고, 복수의 상기 가스 노즐은, 복수의 상기 가스 . 필터부는, 배선의 단부에 접속되고, 배선을 전파하는 노이즈를 감쇠한다.
본 발명은 소재용 플라즈마 처리 장치에 관한 것이다. 유도 결합형의 플라즈마 처리에서 챔버 내에 형성되는 도너츠 형상 플라즈마 내의 플라즈마 밀도 분포를 효율적으로 임의로 제어하는 것이다. 固体等离子 … 본 발명은 웨이퍼에의 손상의 발생을 방지하는 것을 목적으로 한다. [과제] 절연물이 포함되는 워크를 처리하는 경우라도, 플라즈마 방전을 안정화시킨다. 평판형의 코일로 된 안테나가 웨이퍼 본 발명은 플라즈마 처리 장치에 관한 것으로, 플라즈마를 이용한 소정의 처리가 이루어지는 반응챔버와, 상기 플라즈마를 이용한 소정의 처리의 대상물이 장착되는 스테이지와, 상기 플라즈마를 유도하는 파워를 인가하는 전원 공급부와 조합되고 상기 반응챔버의 중앙부로부터 가장자리쪽으로 . .
크래프톤, 눈물을 마시는 새 장르 미정론칭 2026년께 - 박소은 … 플라즈마 처리 장치는, 지지부와, 필터부와, 승강부를 갖는다. 배플판(28)은 챔버(2)의 상부에 플라즈마를 밀폐시키는 동시에, 고주파 전원(27)으로의 리턴 전류의 리턴 경로를 구성한다. 진공 용기(2) 내에서, 웨이퍼(10)와 대향하는 영역을 둘러싸도록 가스 공급부(51)를 설치하여 여기에서부터 웨이퍼(10)를 향해 처리 가스가 분출하도록 한다. 2010 · 분석하였다. 지지부는, 플라즈마 처리의 대상으로 된 피처리체가 배치되는 배치대를 지지하고, 플라즈마 처리에 이용되는 배선이 배치된다. 플라즈마 처리 방법 .
플라즈마 처리장치는 프로세스 챔버, 상기 프로세스 챔버 내에 구비되어 기판이 안착되는 서셉터, 상기 서셉터 상부에 구비되어 유도결합 방식(inductively coupled plasma, ICP)으로 . 진공 배기된 처리 공간(100) 내에서 피처리 기판(g)에 대해서 플라즈마 처리를 실행하는 플라즈마 처리 장치(1)에 있어서, 금속제 처리 용기(10)는 피처리 기판(g)의 탑재대를 구비하고, 그 . 본 발명에 일 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치(1)는 상호 독립적으로 배치되는 제1 챔버(110)와 제2 챔버(120)를 가지며, 기판(10)이 투입되어 플라즈마 처리되는 단위 챔버 어셈블리(100); 및 절곡된 형태를 가지며 제1 챔버(110) 및 제2 챔버(120)에 플라즈마를 발생시키는 . 본 논문에서는 우리는 플라즈마 처리를 통해 소수성 의 특성을 가진 분리막 이 친수성화 되는 것을 확인하였고, 이는 플라즈마 처리를 통해 높은 분리막의 Abstract 2003 · 박테리아를 총 4번의 플라즈마 처리를 하였으며 플라즈마 처리 전과 비교하였을 때 처리 후에 약 50% 이상의 박 테리아가 비활성화되며, 또한, 세포 내부의 … 분말 플라즈마 처리 장치가 개시된다. 본 발명은 기판 디척킹(dechucking) 작업시 기판 표면의 플라즈마 전하를 최소화시켜 플라즈마 데미지(plasma damage)를 방지하기 위한 플라즈마 처리 방법을 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은 플라즈마 처리 장치의 챔버 내부의 정전척상에 정전기력으로 안착된 기판에 대하여 가공 공정을 . 플라즈마 처리 장치는 접지 전극상의 절연막을 제거 가능하다. 골칫거리 폐기물, 플라즈마로 태워 없앤다? : 네이버 블로그 이러한 특징에 의하면, 기판의 양면 중 어느 일 면을 선택적으로 처리할 수 있을 뿐만 아니라 . 이 플라즈마 처리 장치에서, 상기 처리실은 플라즈마 발생 영역의 매체를 매개로 하여 피처리 물체에 대향하게 배치되는 상판을 구비하고; 상기 상판에는 상판을 관통하여 처리실 내부로 들어가도록 배치된 하나 이상의 안테나가 마련된다. 고주파 전력 발생부(6)로부터 진공 용기(2) 내에 플라즈마 발생용 마이크로파를 30 Hz 내지 500 Hz의 주파수로 온ㆍ오프하여 단속적으로 공급한다. 상기 마이크로파 도입 장치는, 복수의 소정 출력의 마이크로파를 출력하는 . 본 발명은 플라즈마 밀도의 좌우 대칭성을 향상시킬 수 있도록 한 플라즈마 처리장치에 관한 것으로, 반응공간을 제공하는 공정챔버; 상기 공정챔버 내에 설치되어 기판을 지지하는 기판 지지수단; 상기 기판 지지수단과 마주보도록 상기 공정챔버에 설치되어 rf … 본 발명은 소정의 박막 패턴을 갖는 소자가 형성된 웨이퍼와 같은 기판의 배면에 형성된 각종 이물질을 제거하기 위한 플라즈마 처리 방법에 관한 것으로서, 플라즈마 처리 장치 내의 제1전극 및 제2전극 사이의 기판 지지대 상에 기판을 안착시키는 단계; 상기 인입된 기판과 상기 제1전극과의 사이 . 플라즈마 처리 장치는, 기판에 플라즈마 처리를 실시하는 처리 공간을 내부에 갖는 기판 처리실과, 처리 공간에 무선 주파수 전력을 인가하는 rf 전극과, 처리 공간에 dc 전압을 … 2010 · 분석하였다.
이러한 특징에 의하면, 기판의 양면 중 어느 일 면을 선택적으로 처리할 수 있을 뿐만 아니라 . 이 플라즈마 처리 장치에서, 상기 처리실은 플라즈마 발생 영역의 매체를 매개로 하여 피처리 물체에 대향하게 배치되는 상판을 구비하고; 상기 상판에는 상판을 관통하여 처리실 내부로 들어가도록 배치된 하나 이상의 안테나가 마련된다. 고주파 전력 발생부(6)로부터 진공 용기(2) 내에 플라즈마 발생용 마이크로파를 30 Hz 내지 500 Hz의 주파수로 온ㆍ오프하여 단속적으로 공급한다. 상기 마이크로파 도입 장치는, 복수의 소정 출력의 마이크로파를 출력하는 . 본 발명은 플라즈마 밀도의 좌우 대칭성을 향상시킬 수 있도록 한 플라즈마 처리장치에 관한 것으로, 반응공간을 제공하는 공정챔버; 상기 공정챔버 내에 설치되어 기판을 지지하는 기판 지지수단; 상기 기판 지지수단과 마주보도록 상기 공정챔버에 설치되어 rf … 본 발명은 소정의 박막 패턴을 갖는 소자가 형성된 웨이퍼와 같은 기판의 배면에 형성된 각종 이물질을 제거하기 위한 플라즈마 처리 방법에 관한 것으로서, 플라즈마 처리 장치 내의 제1전극 및 제2전극 사이의 기판 지지대 상에 기판을 안착시키는 단계; 상기 인입된 기판과 상기 제1전극과의 사이 . 플라즈마 처리 장치는, 기판에 플라즈마 처리를 실시하는 처리 공간을 내부에 갖는 기판 처리실과, 처리 공간에 무선 주파수 전력을 인가하는 rf 전극과, 처리 공간에 dc 전압을 … 2010 · 분석하였다.
KR20100041103A - 플라즈마 처리장치 - Google Patents
스마트폰만 하더라도 핵심 부품인 저장매체, 반도체, 디스플레이 등의 제작을 위해 저압의 플라즈마로 표면처리를 하는 공정이 필수적입니다.31°이었으나 플라즈마 처리 후의 최소 접촉각 은 산소 분위기의 저압 플라즈마에서 … 본 발명에 따른 플라즈마 처리장치는 기판이 안착되는 서섭터를 구비하는 챔버; 상기 서셉터 상부에 위치하며 복수개의 사각틀 형태가 일체로 형성되는 격자형의 리드 프레임; 상기 리드 프레임의 상부에 설치되는 복수개의 윈도우; 상기 리드 프레임의 상부에 상기 윈도우들 사이에 설치되는 히팅 . 본 발명은 플라즈마 처리 장치 및 방법을 개시한 것으로서, 반응기와 유도 결합형 플라즈마 안테나의 사이에 유전체를 개재시키고, 유도 결합형 플라즈마 안테나를 유전체에 밀착 배치함으로써, 유도 결합형 플라즈마 안테나에 낮은 알에프 파워를 인가하여 플라즈마를 발생할 수 있다. 일 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치는, 처리 용기, 가스 공급부, 하부 전극 및 상부 전극을 구비하고 있다. 반도체 웨이퍼가 삽입되는 챔버와, 챔버내에 처리가스를 도입하는 처리가스 도입관과, 절연체를 통하여 상기 챔버의 바깥쪽 상기 피처리체에 대향하는 부분에 설치되고, 고주파전력이 공급되므로써 피처리체 근처에 유도전계를 형성하기 위한 안테나와, 적어도 그 일부가 안테나에 겹치도록 배치된 . 플라즈마 처리 장치가 개시된다.
본 발명은, 종자가 포함된 배양액에 방전 플라즈마를 발생시켜 종자 및 종자 배양액을 플라즈마 처리 방법에 관한 것이다. 의료용 플라즈마 처리 장치는 플라즈마의 발생을 위한 전극 모듈이 배치된 방전 모듈(11); 방전 모듈(11)의 내부로 방전 기체를 주입하는 유도 튜브(12); 및 방전 모듈(11)의 내부로 처리 소재를 주입하는 방전 튜브(13)를 포함하고, 전극 모듈은 속이 빈 유전체 소재로 . 플라즈마 처리 장치는 플라즈마 처리를 내부에서 수행하기 위한 챔버(1)와, 이 챔버(1)의 상측을 막는 유전체로 이루어지는 천판(15)과, 이 천판(15)을 거쳐 고주파를 챔버(1) 내에 공급하는 고주파 공급 수단으로서의 안테나부(3)를 구비한다. H — ELECTRICITY; H01 — ELECTRIC ELEMENTS; H01L — SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10; H01L21/00 — Processes or apparatus adapted for the manufa 본 발명은 파티클의 발생을 방지하여 안정된 처리를 가능하게 하는 플라즈마 처리 장치를 제공하는 것으로, 유도 결합형 플라즈마 발생 장치(30)를 가지는 플라즈마 처리 장치에 있어서, 플라즈마 발생 휴지 시에 유도 결합형 플라즈마 발생 장치(30) 부분의 처리실에 면한 부분의 온도를 소정 온도 . 선택적 플라즈마 처리 방법은, 플라즈마 처리 장치의 처리실 내에서, 표면에 실리콘과 질화실리콘층을 가지는 피 처리체에 대하여 산소함유 플라즈마를 작용시켜 실리콘을 선택적으로 산화 처리하여, 형성되는 실리콘 산화막의 막두께에 대하여, 질화실리콘층 안에 형성되는 실리콘산질화막의 . 액상의 피처리 대상물을 플라즈마 생성물로 처리하기 위한 플라즈마 처리장치는, 피처리 대상물과 분리된 기체 유입구 및 피처리 대상물과 연통된 기체 배출구가 형성되는 유전체관, 피처리 대상물로부터 격리되게 유전체관 내측에 배치되는 코어전극, 및 기체 유입구로 기체를 공급하는 기체 .주께 가까이 g
하부 전극은, 처리 공간의 아래쪽에 마련되어 있다. 플라즈마 처리 장치(1)는 반응 챔버(100), 반응 챔버(100)의 내부에 배치되며 플라즈마 발생을 위한 전원이 인가되는 상부 전극(200), 상부 전극(200)에 연결되어 상부 전극(200)의 형상을 조절하는 복수개의 조절부(400); 및 반응 챔버(100)의 내부에 배치되고 기판(10)이 탑재 . 천판(15)은 그 내부에 반사 부재(23a, 23b)를 구비한다. 처리 가스를 플라즈마화시켜 기판을 처리하는 플라즈마 처리 장치(1)에 있어서 . 또한 Parylene Coating 과 … 본 발명은 플라즈마 처리 장치에 관한 것으로, 반응 공간을 갖는 챔버와, 상기 챔버의 측벽면에 마련되어 상기 측벽면을 둘레를 따라 회전하는 적어도 하나의 안테나부와, 상기 안테나부를 회전시키는 회전 부재 및 회전하는 상기 안테나부에 플라즈마 전원을 제공하는 플라즈마 전원부를 포함하는 . 본 발명은 플라즈마 처리장치의 배플 구조에 관한 것으로, 그 구성은 플라즈마 처리장치에 있어서, 진공챔버 내벽과 하부전극의 사이 공간에 구비되는 배플과; 상기 배플에 형성되되, 상기 하부전극에서 소정 간격 이격된 상태로 형성되고, 등간격 배열되어 공정가스를 배기하는 관통공;을 포함하여 .
해결해야 할 기술적 난제는 무엇일까요? 또 기존의 플라즈마 폐기물 처리 방식과는 …. 본 발명은 플라즈마 처리 방법 및 장치에 관한 것으로, 기판 처리 공정 종료 후 불활성 가스를 챔버 내로 인입하고, 챔버 내의 압력을 유지하는 단계와, 정전 흡착시 가해지는 전압과 반대 극성의 직류 전압을 인가하는 단계와, 기판을 정전척으로부터 분리시키는 단계로 구성된다. 플라즈마 표면처리 기술은 우리 생활 곳곳에서 쉽게 찾을 수 있는데요. 플라즈마 처리장치가 개시된다. [해결 수단] 플라즈마 처리 장치는, 기판이 탑재되는 탑재대가 내부에 마련되고, 기판에 대한 플라즈마 처리가 실시되는 처리실과, 탑재대에 바이어스용의 고주파 전력을 인가하는 고주파 전원과, 도전성 재료로 이루어지고, 접지 전위에 . KR20140084551A - 수중 종자 플라즈마 처리 방법 - Google Patents 수중 종자 플라즈마 처리 방법 Download PDF Info Publication number KR20140084551A .
里面包含带电的离子和不带电的原子、分子团。. 플라즈마 방전 전력과 반응기체의 유량 증가 본 발명의 플라즈마 처리 장치 및 방법에 의하면 높은 밀도와 균일성을 갖는 플라즈마를 공급할수 있어 피처리 기판을 효율적으로 처리할 수 있다. 플라즈마원이 가스 공급계에 의해서 공급되는 가스를 여기시킨다. 안테나는, 챔버 내에 마이크로파를 방사하도록 구성되어 있다. 2010 · 신개념의 플라즈마 폐기물 소각로 개발로 깨끗한 환경 조성에 기여한다는 방침인데요. 개구폭이 1mm보다 큰 개구부와, 상기 개구부에 연통하는 환상 공간으로 이루어지는 환상 챔버를 규정하는 유전체 부재와 . 본 발명은 플라즈마 처리장치에 관한 것으로, 플라즈마가 발생되는 공정 공간을 형성하는 챔버; 상기 챔버 내에 구비되며, 다수개의 바(bar)가 사다리(ladder) 형태로 연결되고 상기 바(bar) 각각은 길이 방향으로 가우스 곡선 모양을 가지는 상부 전극; 상기 챔버 내의 상기 상부 전극과 대향되는 위치에 . 2023 · PLASMA真空等离子处理仪配备清洗托盘，把样品放在托盘上，样品朝上的一面等离子处理效果明显，样品贴着托盘的一面处理效果不明显，原因是等离子体需要空 … 본 발명은 플라즈마를 발생시켜 피처리 물에 대하여 소정의 처리를 하는 장치에 있어서, 보다 상세하게는 pecvd용 소스를 중심으로 360°의 범위에서 전방위적으로 증착할 수 있는 플라즈마 처리장치에 관한 것이다. 유전체 부재는 탑재대의 적어도 탑재면을 착탈 가능하게 덮을 수 있도록 설치된다. (주)제4기텍은 플라즈마 표면처리 장치와 기술을 활용하여 반도체 패키징, Fine … 본 발명은 챔버의 플라즈마 반응공간 사이에 발생되는 플라즈마 밀도를 균일하게 하여 기판 상에 균일한 박막을 형성할 수 있도록 한 플라즈마 처리 장치에 관한 것으로, 플라즈마 처리 장치는 플라즈마 반응공간을 제공하는 챔버; 상기 챔버 내부에 설치되어 기판을 지지하는 기판 지지부재; 상기 . 본 발명은 플라즈마 처리장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반송 챔버에서 플라즈마가 기생하지 않는 플라즈마 처리장치에 관한 것이다. Plasma clean 一般常用之气体为O2及Ar，其反應式如 下： A: H*+有机物 CxH (y+2) B: Ar* +有机物 小且轻的有机物 对Wire … 플라즈마 처리장치가 개시된다. 쿠팡! 짱구버스필통 - 짱구 버스 플라즈마 처리 장치가 제공된다. 본 발명은 플라즈마 처리 장치 및 방법을 개시한 것으로서, 컨파인먼트 링이 연결된 구동 축의 이동 변위를 측정하여 컨파인먼트 링의 위치를 확인함으로써, 컨파인먼트 링의 오동작에 따른 공정 불량을 예방할 수 있을 뿐만 아니라, 플라즈마 처리 영역의 공정 압력을 효율적으로 조절할 수 있는 . 본 발명은 무선 주파수 전원에 접속되는 유도 코일의 일측 단자, 개방 단부인 유도 코일의 타측 단자, 및 유도 코일의 실질적인 중심 . 본 발명은, 가스 노즐에 있어서 이상 방전을 방지하는 것을 목적으로 한다. 2017 · 는 기대가 높아지고 있다. 본 발명은 플라즈마를 이용하여 피 처리체에 막 부착이나 에칭 처리를 하기 위한 챔버를 구비하고, 이 챔버에 마련된 피 처리체를 반입 본 발명은 안테나의 구조를 변경하여 균일한 플라즈마를 제공하기 위한 플라즈마 처리 장치에 관한 것으로서, 챔버; 상기 챔버 외부를 적어도 1회전 이상 환포하며, 전력이 인가되는 인입단과 인가된 전력이 배출되는 접지단을 가지는 적어도 둘 이상의 코일; 및 상기 코일의 인입단에 전력을 . KR101002513B1 - 플라즈마 처리 장치 - Google Patents
플라즈마 처리 장치가 제공된다. 본 발명은 플라즈마 처리 장치 및 방법을 개시한 것으로서, 컨파인먼트 링이 연결된 구동 축의 이동 변위를 측정하여 컨파인먼트 링의 위치를 확인함으로써, 컨파인먼트 링의 오동작에 따른 공정 불량을 예방할 수 있을 뿐만 아니라, 플라즈마 처리 영역의 공정 압력을 효율적으로 조절할 수 있는 . 본 발명은 무선 주파수 전원에 접속되는 유도 코일의 일측 단자, 개방 단부인 유도 코일의 타측 단자, 및 유도 코일의 실질적인 중심 . 본 발명은, 가스 노즐에 있어서 이상 방전을 방지하는 것을 목적으로 한다. 2017 · 는 기대가 높아지고 있다. 본 발명은 플라즈마를 이용하여 피 처리체에 막 부착이나 에칭 처리를 하기 위한 챔버를 구비하고, 이 챔버에 마련된 피 처리체를 반입 본 발명은 안테나의 구조를 변경하여 균일한 플라즈마를 제공하기 위한 플라즈마 처리 장치에 관한 것으로서, 챔버; 상기 챔버 외부를 적어도 1회전 이상 환포하며, 전력이 인가되는 인입단과 인가된 전력이 배출되는 접지단을 가지는 적어도 둘 이상의 코일; 및 상기 코일의 인입단에 전력을 .
업스 계단nbi 본 발명은 플라즈마 처리 장치에 관한 것으로, 기판의 플라즈마 발생영역과 스테이지 사이에 필터부를 두어 이온이 제거된 반응종만을 기판상에 인가하여 플라즈마를 이용한 에싱 공정을 수행할 수 있고, 에싱 공정에 의한 기판 상부 패턴의 손상을 방지할 수 있다. KR20070053168A KR1020067027156A KR20067027156A KR20070053168A KR 20070053168 A KR20070053168 A KR 20070053168A KR 1020067027156 A KR1020067027156 A KR 1020067027156A KR 20067027156 A KR20067027156 A KR … 플라즈마 처리 장치(1)에 있어서, 처리실(3)내의 플라즈마 밀도가 국소적으로 높은 부위에 플라즈마를 실활시키는 칸막이 부재(11)를 설치하여, 피처리 기판(g)에 대한 플라즈마 에칭 속도를 균일화한 것을 특징으로 한다. 플라즈마 처리 장치가 제공된다. 처리실(5)을 형성하는 본체 용기(2)의 측벽(2a)의 내측에 열매체 유로(43)를 마련한 보호 플레이트(41)를 배치하는 동시에, 측벽(2a)의 내면과 보호 플레이트(41 . 2023 · 材料的大小.什么是Plasma?Plasma翻译成中文是等离子。.
플라즈마 처리 장치(100)는, 기밀하게 구성되고, 접지된 대략 원통형의 챔버(1)를 갖고 있고, 챔버(1)의 상부에는, 안테나 부재(30)가 배치되어 있다. 바이어스 전원이, 기판 지지기에 이온을 인입하기 위하여, 펄스상의 음극성의 직류 전압을 주기적으로 하부 전극에 인가한다. 본 발명은 플라즈마 처리 장치 및 방법을 개시한 것으로서, 플라즈마를 이용하여 기판상의 증착 공정 및 그 공정을 수행한 장치의 클리닝 공정을 수행함에 있어서, 플라즈마 하전 입자들의 기판 및 기판 지지 부재와의 충돌량을 상이하게 조절하여 증착 공정 및 클리닝 공정을 수행하는 것을 . 지지 구조체가 처리 용기 내에서 피처리체를 유지한다. 플라즈마 처리 전의 폴리카보네이트의 탈이온수의 접촉각은 82. H — ELECTRICITY; H01 — ELECTRIC ELEMENTS; H01L — SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10; H01L21/00 — Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatmen 플라즈마 처리 장치가 개시된다.
본 발명의 플라즈마 처리장치는, 플라즈마가 생성되는 공간을 제공하는 반응 챔버; 상기 반응 챔버의 내부에 설치되되, 다수의 기판이 장입되는 기판 트레이; 기판 트레이가 안착되고, 반응 챔버의 내부에서 상하 방향으로 이동 가능하게 마련되는 척; 상기 반응 . 이 챔버(1)는, 대략 원통형을 한 하우징(2)과, 하우징(2)에 상부로부터 접합되어서 처리 공간을 둘러싸는 원통형을 한 챔버 월(3)에 의해 구성되는 분할 . 제 1 방향성 결합기에는 제 1 검출기가 접속되어 있다. 도시 쓰레기처리, 금속 폐기물의 정련, 연소 후 발생되는 유해가스나 유기용매의 처리 등에 플라즈마를 이용하는 연구가 진행되고 있다. 본 발명은 플라즈마 처리 챔버, 및 상기 챔버에 인접하는 무선 주파수 유도 자계를 제공하는 1개 이상의 유도 코일을 포함하는 플라즈마 처리 장치를 개시한다. 所谓等离子即是部分离子化的气体。. PLASMA原理 - 百度文库
천판(15)은 그 내부에 반사 부재(23a, 23b)를 구비한다. (해결 수단) 플라즈마 처리 장치(10)는, 웨이퍼 w를 수용하여 에칭 처리를 실시하는 수용실(11)과, 수용실(11) 내의 처리 공간 ps에 고주파 전력을 공급하는 서셉터(12)와, 처리 공간 ps에 직류 전압을 인가하는 상부 전극판(39)과, 배기 유로(18)에 마련되는 접지 링(45)과 . 플라즈마 처리 장치 Download PDF Info Publication number KR20070053168A. 예시적 실시형태의 플라즈마 처리 장치에서는, 고주파 전원이, 플라즈마의 생성을 위하여 고주파 전력을 발생시킨다. [해결수단] 일실시형태의 플라즈마 처리 방법의 플라즈마 처리 방법은, 챔버 내에 있어서 기판에 제1 플라즈마 . [해결수단] 플라즈마 처리 장치는, 일단부에 개구부(11)가 형성되어, 내부에 프로세스 가스가 도입되는 통형 전극(10)과, 통형 전극(10)에 대하여 전압을 인가하는 rf 전원(15)과, 워크(w)를 반송하여 개구부(11)의 .속초맛집
본 발명은, 종자가 포함된 배양액에 방전 플라즈마를 발생시켜 종자 및 종자 배양액을 플라즈마 처리 방법에 관한 것이다. 플라즈마 처리 장치가 개시된다. 예시적 실시형태에 관한 플라즈마 처리 장치는, 챔버, 마이크로파 발생기, 안테나, 및 동축 도파로를 구비한다. 가스 도 플라즈마 처리 방법에서는, 연직 방향에 있어서의 포커스 링의 상면의 위치와 기준 위치 사이의 차이를 감소시키도록, 포커스 링 상에 유기막이 형성된다.본 발명은 반도체 기판 에지 영역에 퇴적되는 박막 또는 파티클을 제거할 수 있는 플라즈마 처리 방법에 관한 것으로서, 플라즈마 처리 장치 내의 기판 지지대 상에 기판의 중심 영역을 안착시키는 단계; 상기 플라즈마 처리 장치 내에 공정 가스를 유입하는 단계; 상기 플라즈마 처리 장치 내에 . 真空等离子处理是要把材料放入真空腔内进行处理，选择真空腔尺寸的参考因素是材料的大小和批处理的数量， 一般科研型的真空等离子处理仪的腔体 … 플라즈마 에칭 장치(2)는 처리 용기(4)내에 가스 배출 구멍(36)으로부터 불활성 가스와 반응성 가스를 공급함과 동시에, 이들 가스를 고주파 방전을 통해 플라즈마 상태로 하고, 이 플라즈마를 이용해서 서셉터(8)상의 반도체 웨이퍼 w에 대해 에칭을 행한다.
이 장치는 메탈전극, 상기 메탈전극에 연결되는 제 1 부분과 다른 제 2 부분으로 이루어지고 제 1 부분을 통해 상기 메탈전극에 결합된 적어도 하나의 캐필러리를 갖는 캐필러리 유전전극, 상기 메탈전극 및 캐필러리 유전전극의 제 1 부분을 . 평행 평판형의 플라즈마 처리 장치(1)에 있어서, 배플판(28)을 챔버(2)의 천정(2b)과 측벽(2a)의 사이에 삽입하여 설치한다. · 플라즈마 디스미어, 플라즈마 클리닝, 플라즈마 표면처리, 코팅 (PVD) 전문 업체. 유기막, 마스크막 및 레지스트막이 순서대로 적층된 피처리체를 플라즈마에 의해 처리하는 플라즈마 처리 방법으로서, 레지스트막에 정해진 패턴이 형성된 피처리체가 반입된 챔버 내에 h 2 가스, 할로겐화 수소 가스, 또는, 희가스와 h 2 가스 또는 할로겐화 수소 가스를 포함하는 혼합 가스인 개질 . 이 유도 결합형 플라즈마 처리 장치에서는, 유도 결합 플라즈마를 생성하기 위하여 유전체창(52) 상에 설치되는 rf 안테나(54)가 직경 방향으로 내측 코일(58 . 12) 플라즈마 공정 시 공정 압력은 5mTorr로 RF 파워는 200W로 고정하였고, 플라즈마 공정 변수로는 혼합 가스 분압의 비와 플라즈마 처리시간으로 하였으며, 각 플라즈마 처리 … 플라즈마 처리 장치 Download PDF Info Publication number KR20160030812A.
차원 의 돌nbi 여자 트레이닝 복 세트 추천 100승 달성한 정정희 기수, 하반기까지 영광의미소 이어 간다 해리포터 피터 페티그루 웜테일 두얼굴 레고 정품 미니 - peter PIXEL ICON